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  • 檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "氮化鎵".ckeyword (精準) and year="101"


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    氮化鎵表面粗糙化技術研發與相關太陽能電池特性之探討
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 黃彥翔 指導教授: 葉秉慧
    • 本論文研發氮化鎵表面粗糙化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太陽能電池光電流。由於商用氮化鎵晶圓是為做LED元件設計,主動層多重量子井數目較少。為了避免QCSE (quantum-confined Star…
    • 點閱:209下載:3

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    研製擴散型侷限結構之氮化鎵垂直共振腔面射型光源
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 林家煥 指導教授: 葉秉慧
    • 本論文根據學長所做的氮化鎵發光二極體的電流阻擋層結構,對擴散理論與實驗做了更深入的探討。藉由調整快速升溫退火爐不同的時間及溫度,而後由二次離子質譜儀(SIMS)分析得到不同溫度下的擴散係數,因而決定…
    • 點閱:182下載:3

    3

    GaN FET應用於高頻化錯相式降壓型功率因數修正器之研製
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 張家鏵 指導教授: 羅有綱 邱煌仁
    • 本論文研製一高頻化錯相式降壓型功率因數修正器。高頻操作的主要目的是減少電路所需電感量和體積,錯相式架構的電感器採用整合電感器,並且利用電路板上的佈局當作電感器繞組,以減少電感體積和成本,降壓型架構則…
    • 點閱:219下載:5
    • 全文公開日期 2018/06/18 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    以寬能隙元件實現高頻化整合式電感之半無橋功率因數修正器
    • 電子工程系 /101/ 碩士
    • 研究生: 鄧凱元 指導教授: 羅有綱 邱煌仁
    • 本論文主要目標在於研製500 W半無橋功率因數修正器,其操作頻率設置在300 kHz,並採用寬能矽元件降低其切換損失及採用整合式平面電感降低電路體積,且具有高功率因數、高效率及低電流諧波。文中比較C…
    • 點閱:332下載:5
    • 全文公開日期 2018/07/12 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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